در این مقاله ساختار باند یک بلور فوتونیکی یک بعدی متشکل از دی الکتریک های دولایه (لایه اول خلا و لایه دوم از جنسZnSe است) با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شد. سپس، ساختار باند بلور فوتونیکی با در نظر گرفتن ویژگی غیرخطی لایه ها و شدت بالای میدان تابشی برای مقادیر مختلف محاسبه گردید. تغییرات ضرایب شکست هر یک از لایه ها در ضرایب گذردهی الکتریکی آن ها اعمال شد. چون ضرایب عبور و بازتاب بلور به ضرایب گذردهی الکتریکی لایه ها بستگی دارند، با تغییر ضرایب گذردهی الکتریکی لایه ها، ساختار با ند بلور هم تغییر کرد. نتایج نشان دادند که با افزایش شدت نورتابشی، پهنای فرکانسی شاخه های گاف باند کاهش یافته و در هر دو قطبش TE و TM اندکی به سمت فرکانس های پایین تر شیفت یافتند. نتایج همچنین نشان دادند که شاخه های گاف باند جدید در فرکانس های بالاتر ظاهر می شود. این امر نشان می دهد که ساختار باند بلور به وسیله شدت میدان تابشی قابل کنترل است. به منظور نشان دادن عملی این توانایی برای اپتیک غیرخطی، ساختار باند بلور اشاره شده در دو حالت خطی و غیرخطی به صورت تابعی از شدت میدان تابشی محاسبه و مقایسه شدند. چنین ساختارهایی می توانند به عنوان پوشش های ضد بازتاب استفاده شوند که بازتاب از سطح را کاهش می دهند. درواقع، با پوششی از بلور فوتونیکی با کاف باند قابل کنترل توسط یک لایه غیرخطی اپتیکی بر روی ادوات جنگی، می توان آن ها را از دید رادار دشمن پنهان کرد.

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفره ای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع های a43/0 و a50/0 و a48/0 می باشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیهm 1µ تا m 10µ محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، می توان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستم های ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.

شناسایی به موقع ویروس ها مثل ویروس نقص ایمنی انسانی (HIV-1) در نقطه مراقبت (POC) می تواند منجر به اقدامات پزشکی به موقع، درمان مناسب و کاهش نرخ رشد و گسترس بیماری شود. در این مقاله دو زیست حسگر HIV مبتنی بر بلور فوتونیکی یک بعدی کامل و حاوی لایه نقص برای تشخیص این ویروس پیشنهاد و مشخصه های اصلی این زیست حسگرها مثل حساسیت و ضریب کیفیت (ضریب Q) مورد بررسی قرار می گیرد. همچنین، تأثیر زاویه تابش بر عملکرد این دو حسگر نیز مورد ارزیابی قرار می گیرد. نتایج نشان می دهد که حساسیت زیست حسگر HIV بر پایه بلور فوتونیکی کامل مستقل از زاویه تابش است در حالی که ضریب Q این حسگر با افزایش زاویه تابش افزایش یافته و مقدار این کمیت تحت زاویه تابش 85 درجه تقریباً 14 برابر بزرگتر از تابش عمودی است. این در حالی است که حساسیت و ضریب Q زیست حسگر حاوی لایه نقص تابعی از زاویه تابش است و بیشینه مقدار این کمیت ها که در زوایای تابش 65 و 47 درجه اتفاق می افتد و به ترتیب برابر با 1056nm/RIU و 12683 می باشند. بنابراین، این زیست حسگر به عنوان گزینه مناسبی برای تشخیص ویروس HIV پیشنهاد می شود.

مقدمه: وقوع مدهای نوسانی گسسته در شبکه شش گوشی دو بعدی پلاسمای غبارآلود در بررسی رفتار ذرات غبار و چگونگی تشکیل کریستال های مایع و جامد بسیار مهم است. تاکنون مقالات بسیاری در مطالعه مدهای گسسته و پیوسته به چاپ رسیده است (مراجع پایانی را ملاحظه فرمائید). در این مقاله، سیستم مورد مطالعه مشابه سیستم کلاین گوردون در شبکه شش گوشی است و در آن وجود نوسان های جایگزیده در نوسان عمودی غبار های باردار در شبکه دو بعدی شش گوشی بررسی می شوند.هدف: بررسی نوسان گسسته ذرات غبار درون پلاسما در آرایش دو بعدی شش گوشی و پیدا کردن عواملی که پایداری نوسان گسسته ذرات را تهدید می کند از جمله اهداف این مقاله است.روش بررسی: معادله حرکت ذرات غبار تحت تاثیر نیروی گرانش، میدان الکتریکی و دافعه بین ذرات غبار (با بار الکتریکی ثابت و منفی) نوشته شده و پس از ساده سازی به معادله گسسته و غیر خطی شرودینگر می رسیم. پس از حل معادله نتایج زیر بدست می آیند.نتایج: نوسان های جایگزیده در نوسان عمودی غبار های باردار در شبکه دو بعدی شش گوشی تحت شرایط خاص وجود دارد.نتیجه گیری: نتایج نشان می دهند؛ تنها تفاوت با ساختار نوسانی زنجیره غیرخطی کلاین گوردون در این است که: فونون های شبکه (در اینجا) فقط در حضور نیروی ناشی از میدان الکتریکی پایدار هستند.

در این مقاله، ما انتشار امواج صوتی در بلورهای فونونی یک-بعدی و دو-بعدی را بررسی کرده ایم. بلورهای فونونی متشکل از ردیف های مربعی شامل استوانه های مملو از فلزات گروه سوم جدول تناوبی برای مثال آلومنیوم و نیکل در زمینه ی هوا و اپوکسی می باشند. ابتدا با استفاده از روش بسط امواج تخت ساتراگسیلختار نواری این بلورها را محاسبه نمودیم، سپس ضرایب جذب و تراگسیل و بعلاوه توزیع فشار در آن ها را تعیین کردیم. اندازه ابعاد بلور متناسب با طول موج صدا می باشد، بنابراین، می توان بلورهایی با ابعاد میکرومتر تا نانومتر ساخت و با بسامد هایی که از هرتز تا تراهرتز متغیر می باشند. نتایج این شبیه سازی عددی، نمودارهای پراکندگی، ضرایب جذب و تراگسیل و توزیع فشار را برای پنج فلز نشان می دهند.